Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDP085N10A-F102, Микросхема
МОП-транзистор 100V N-CHANNEL POWERTRENCH МОП-транзистор
| Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
| Pd - рассеивание мощности | 188 W |
| Qg - заряд затвора | 31 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.35 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 22 ns |
| Время спада | 8 ns |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Другие названия товара № | FDP085N10A_F102 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 72 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | FDP085N10A |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вес, г | 0.5 |
