Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDP7030BL, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
• Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• 175°C Rated junction temperature
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 60 A
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 60 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.83мм
Высота 9.4мм
Размеры 10.67 x 4.83 x 9.4мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 12 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 30 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -65 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 17 нКл при 5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1760 pF @ 15 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 2.5
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 60A |
| Сопротивление открытого канала | 9 мОм |
| Мощность макс. | 60Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Заряд затвора | 24нКл |
| Входная емкость | 1760пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Наименование | FDP7030BL |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 800 шт |
