Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FDPF18N50, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт
TO-220F/N-Channel UniFET MOSFET 500V, 18A, 265mO
Корпус TO220FULLPAK3
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 18 A
Тип корпуса TO-220F
Максимальное рассеяние мощности 38,5 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.7
Высота 9.19мм
Размеры 10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.16мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 55 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 95 ns
Серия UniFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 265 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 500 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 45 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2200 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Вес, г 2
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. | 500В |
Ток стока макс. | 18А |
Мощность макс. | 38Вт |
Тип транзистора | N-канальный |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220F |
Вес брутто | 3.03 г. |
Наименование | FDPF18N50 |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |