Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDPF4N60NZ, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.5 ом при 1.9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 28
Крутизна характеристики, S 3.3
Корпус to220fp
Вес, г 2
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 3.8A |
| Сопротивление открытого канала | 2.5 Ом |
| Мощность макс. | 28Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 10.8нКл |
| Входная емкость | 510пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220F |
| Вес брутто | 2.5 г. |
| Наименование | FDPF4N60NZ |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
