Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FDPF51N25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт
Тип упаковки-Tube (туба); Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 28 А, 33 Вт
Корпус TO220FULLPAK3
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 51 А
Тип корпуса TO-220F
Максимальное рассеяние мощности 38 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.9мм
Высота 16.07мм
Размеры 10.36 x 4.9 x 16.07мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.36мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 62 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 98 ns
Серия UniFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток 250 В
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 55 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2620 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Вес, г 2
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. | 250В |
Ток стока макс. | 28А |
Мощность макс. | 33Вт |
Тип транзистора | N-канальный |
Корпус | TO-220F |
Вес брутто | 2.91 г. |
Наименование | FDPF51N25 |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 28 A, 33 W |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |