Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Главная
Транзисторы
Полевые транзисторы
Сборки MOSFET транзисторов

Цена по запросу

FDS4559, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В, 3.5 А, 0.105 Ом, 2Вт

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies. The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation. Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET. Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60/-60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5/-3.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.055 ом при 4.5a, 10в/0.105 ом при-3.5a, -10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2 Крутизна характеристики, S 14/9 Корпус so8 Особенности комплементарная пара транзисторов Пороговое напряжение на затворе ±1…3 Вес, г 0.15 ON Semiconductor

Тип транзистора	N/P-канальный
Особенности	Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток	60 В
Маскимальный ток стока	4.5 А, 3.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность	1 Вт
Вес брутто	0.2 г.
Наименование	FDS4559
Производитель	ON Semiconductor
Описание Eng	N/P-Channel 60 V 55/105 mО© Complementary PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Тип упаковки	Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка	2500 шт
Корпус	SO-8