Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDS6679AZ, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13А 2.5Вт
Характеристики
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 9.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 55
Корпус so8
Особенности сквозной канал
Пороговое напряжение на затворе -3
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 13A |
| Сопротивление открытого канала | 9.3 мОм |
| Мощность макс. | 1Вт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Заряд затвора | 96нКл |
| Входная емкость | 3845пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Вес брутто | 0.2 г. |
| Наименование | FDS6679AZ |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 13 A, 2.5 W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
| Корпус | SO-8 |
