Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDS8880, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 11.6 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2.5 W
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 2мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 7 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 38 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток 10 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 23 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1235 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.15
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 11.6A |
| Сопротивление открытого канала | 10 мОм |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Заряд затвора | 30нКл |
| Входная емкость | 1235пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOIC8N |
| Вес брутто | 0.22 г. |
| Наименование | FDS8880 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
