Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FDS8958B, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
The FDS8958B is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. It is suitable for use with DC-to-DC converter, BLU and motor drive inverter applications.
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4,5 А, 6,4 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 1,6 Вт, 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 3.9мм
Высота 1.575мм
Размеры 4.9 x 3.9 x 1.575мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 4.9мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 4.3 ns, 6 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 12 нс, 17 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 39 мОм, 80 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Типичный заряд затвора при Vgs 14 нКл при 10 В, 8,3 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 405 пФ при 15 В, 570 пФ при -15 В
Тип канала N, P
Максимальное напряжение затвор-исток -25 V, -20 V, +20 V, +25 V
Вес, г 0.15
ON Semiconductor
Тип транзистора | N/P-канальный |
Особенности | Логическое управление |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
Маскимальный ток стока | 6.4 А, 4.5 А |
Максимальная рассеиваемая мощность | 900 мВт |
Корпус | SOIC8 |
Наименование | FDS8958B |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 2500 шт |