Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FF1000R17IE4, IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.39KA

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.39KA

Pd - рассеивание мощности	6.25 kW
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	38 mm
Длина	250 mm
Другие названия товара №	FF1000R17IE4BOSA1 SP000609592
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	1390 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	2
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	PRIME3
Ширина	89 mm
Вес, кг	1.26