Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FF100R12RT4, IGBT Modules IGBT Module w/ IGBT & Diode

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode

Pd - рассеивание мощности	555 W
Другие названия товара №	FF100R12RT4HOSA1 SP000624754
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Вес, г	160