Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FF200R06KE3HOSA1, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600 V 260 A 680 W Chassis Mount Module

Discrete Semiconductor Products\TransistorsМодуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 600V 260A 680W Модуль для монтажа на шасси

Base Product Number	FF200R06 ->
Configuration	Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)	260A
Current - Collector Cutoff (Max)	5mA
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Chassis Mount
NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Bulk
Package / Case	Module
Power - Max	680W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	C ->
Supplier Device Package	Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	260А
DC Ток Коллектора	260А
Power Dissipation	680Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual(Half Bridge)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Максимальная Температура Перехода Tj	150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	680Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3(Trench/Field Stop)
Вес, г	0.1