Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FF200R12KE4HOSA1 IGBT Module, 240 A 1200 V Module, Panel Mount

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT module is a 62 mm dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled diode.

Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	240 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	1.1 kW
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	Module
Collector Emitter Saturation Voltage	1.75В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	240А
DC Ток Коллектора	240А
Power Dissipation	1.1кВт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Количество Выводов	7вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	Dual(Half Bridge)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.75В
Полярность Транзистора	Двойной NPN
Рассеиваемая Мощность	1.1кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)