Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 125 °C, Module

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули FF200R12KS4, SP000100707

Collector Emitter Saturation Voltage	3.2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	275А
DC Ток Коллектора	275А
Power Dissipation	1.4кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual
Линейка Продукции	62mm C
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3.2В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	1.4кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 2 Fast
Channel Type	N
Configuration	Series
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	275 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Maximum Power Dissipation	1400 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	AG-62MM-1
Transistor Configuration	Series
Вес, г	363.4