Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FF200R12KS4HOSA1 Series IGBT Module, 275 A 1200 V AG-62MM-1, Panel Mount

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Channel Type	N
Configuration	Series
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	275 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Maximum Power Dissipation	1400 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	AG-62MM-1
Transistor Configuration	Series
Collector Emitter Saturation Voltage	3.2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	275А
DC Ток Коллектора	275А
Power Dissipation	1.4кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual
Линейка Продукции	62mm C
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3.2В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	1.4кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 2 Fast
Вес, г	335