Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FF200R17KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 310 А, 2 В, 1.25 кВт, 125 °C, Module
Цена по запросу

FF200R17KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 310 А, 2 В, 1.25 кВт, 125 °C, Module

Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1700V 310A 1250W Модуль для монтажа на шасси
Base Product Number FF200R17 ->
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 310A
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40В°C ~ 125В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 1250W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series C ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Вес, г 0.337

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных