Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FF500R17KE4BOSA1, IGBT Modules 1700 V, 500 A dual IGBT module

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesThe Infineon 62 mm 1700 V, 500 A dual IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 3 diode.

Collector Emitter Saturation Voltage	1.95В
Collector Emitter Voltage Max	1.7кВ
Continuous Collector Current	500А
DC Ток Коллектора	500А
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual(Half Bridge)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.95В
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage	1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Package Type	AG-62MMHB-411
Вес, г	0.36