Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FF600R07ME4B11BPSA1 IGBT 650 V AG-ECONOD-411

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon EconoDUAL 3 650 V, 600 A dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled diode, NTC and PressFIT contact technology.

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Package Type	AG-ECONOD-411
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	700А
DC Ток Коллектора	700А
Power Dissipation	1.8кВт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Dual
Линейка Продукции	EconoDUAL 3
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.55В
Рассеиваемая Мощность	1.8кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)