Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FF600R12ME4B72BOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesThe Infineon EconoDual dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 technology which has collector emitter voltage of 1200 V and collector current of 600 A.
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | ECONODUAL |
| Pin Count | 11 |
| Transistor Configuration | Dual |
Похожие товары
Цена по запросу
