Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 900 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 5.1 kW |
| Number of Transistors | 2 |
| Вес, г | 1 |
Похожие товары
Цена по запросу
