Цена по запросу
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
| Технология/семейство | Field Stop/Gen 2 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 120 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 180 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 600 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 18 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 104 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | to-3pn |
| Вес, г | 6.5 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу