Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Технология/семейство	Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	92
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Корпус	TO-247-3LD
Вес, г	7.5