Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGH4L40T120LQD IGBT, 80 A 1200 V TO-247
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe ON Semiconductor 1200 V, 40 A ultra field stop IGBT. This IGBT uses a fast switching co-packed diode making it ideal for use in hard-switching applications where EON, IRRM and trr are important factors determining the losses.
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 153 W |
| Number of Transistors | 30 |
| Package Type | TO-247 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
