Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FGH4L50T65SQD IGBT, 80 A 650 V TO-247-4LD
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe ON Semiconductor 650 V, 50 A FS4 high speed IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and controllable turnoff Vce overshoot.
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
Maximum Power Dissipation | 268 W |
Number of Transistors | 30 |
Package Type | TO-247-4LD |