Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
| Технология/семейство | Field Stop/Gen 2 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 120 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 180 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 600 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 18 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 104 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | TO-247-3LD |
| Корпус | to247 |
| Вес, г | 7.5 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
