Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FP100R06KE3BOSA1 IGBT Module, 100 A 600 V Module, Panel Mount

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT module has with fast Trench and Field stop IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC.

Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	100 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	335 W
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	Module
Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	100А
DC Ток Коллектора	100А
Power Dissipation	335Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EconoPIM 3
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	335Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3(Trench/Field Stop)