Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FP10R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 10 А, 1.55 В, 68 Вт, 175 °C

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и МодулиThe Infineon IGBT module has rugged mounting due to integrated mounting clamps. This IGBT module features a VCEsat with positive temperature coefficient and Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	10А
DC Ток Коллектора	10А
Power Dissipation	68Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EasyPIM
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.55В
Рассеиваемая Мощность	68Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	16 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	68 W
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	Module
Вес, г	0.16