Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FP10R12W1T4B3BOMA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 20A, 105W

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и МодулиThe Infineon IGBT module has rugged mounting due to integrated mounting clamps. This IGBT module features a VCEsat with positive temperature coefficient and Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	20А
DC Ток Коллектора	20А
Power Dissipation	105Вт
Выводы БТИЗ	Solder
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EasyPIM Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	105Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	20 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	105 W
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	Module
Вес, г	374.7