Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FP150R12KT4BPSA1 3 Phase Bridge IGBT, 150 A 1200 V, Panel Mount

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT module is available with fast TRENCHSTOP ™ IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC.

Configuration	3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	150 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	20 mW
Mounting Type	Panel Mount
Collector Emitter Saturation Voltage	1.75В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	150А
DC Ток Коллектора	150А
Power Dissipation	-
Выводы БТИЗ	Solder
Количество Выводов	43вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EconoPIM 3
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.75В
Рассеиваемая Мощность	-
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)