Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FP15R06W1E3, IGBT Modules N-CH 600V 22A

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A

Pd - рассеивание мощности	81 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	12 mm
Длина	62.8 mm
Другие названия товара №	FP15R06W1E3BOMA1 SP000092046
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Array 7
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	22 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	24
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	EASY1B
Ширина	33.8 mm
Вес, г	24