Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FP15R12KE3GBOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 25А |
DC Ток Коллектора | 25А |
Power Dissipation | 105Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 105Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |