Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиThe Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Channel Type	N
Configuration	3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	54 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	215 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	PCB Mount
Package Type	EASY2B
Pin Count	35
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	3 Phase
Вес, г	25