Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Цена по запросу

FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A

Описание Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид IGBT
Категория Транзистор
Тип модуль
Вид IGBT
Channel Type N
Configuration 3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 54 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 215 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type AG-EASY2B-1
Transistor Configuration 3 Phase
Collector Current (DC) 54(A)
Collector-Emitter Voltage 1200(V)
Gate to Emitter Voltage (Max) ±20(V)
Mounting Screw
Operating Temperature (Max) 150C
Operating Temperature (Min) -40C
Operating Temperature Classification Automotive
Packaging Tray
Pin Count 23
Rad Hardened No
Вес, г 39