Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
Описание Модуль CBI, 1200В 75A ECONO Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
модуль
Вид
IGBT
| Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | IGBT |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Number of Transistors | 7 |
| Вес, г | 0.306 |
Похожие товары
Цена по запросу
