Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FP50R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 50 А, 1.7 В, 280 Вт, 125 °C
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули Описание Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Urmax: 1,2кВ Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
БТИЗ
Вид
IGBT
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 280 W |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | Module |
Вес, г | 360 |