Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FP75R12KT4, IGBT Modules 1.85V IGBT 4 PIM

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM

Pd - рассеивание мощности	385 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Другие названия товара №	FP75R12KT4BOSA1 SP000355581
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	3-Phase
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	150 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Econo 3
Application	frequency changer, Inverter
Case	AG-ECONO3-3
Collector current	75A
Electrical mounting	Press-in PCB
Gate-emitter voltage	±20V
Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES
Max. off-state voltage	1.2kV
Mechanical mounting	screw
Power dissipation	385W
Pulsed collector current	150A
Semiconductor structure	diode/transistor
Technology	EconoPIM™ 3
Topology	buck chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Type of module	IGBT
Вес, г	300