Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V EconoPIM
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Number of Transistors | 7 |
| Package Type | EconoPIM |
| Вес, г | 5.42 |
Похожие товары
Цена по запросу
