Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FP75R12N2T7BPSA2, IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesThe Infineon three phase PIM IGBT module with IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
| Channel Type | N |
| Configuration | Common Emitter |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Number of Transistors | 7 |
| Pin Count | 31 |
Похожие товары
Цена по запросу
