Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FPF2G120BF07ASP, Trans IGBT Module N-CH 650V 40A 156W Tray
Diodes, Transistors and Thyristors\IGBT Transistors\IGBT Module
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Triple |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 40 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 2 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 156 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Packaging | Tray |
| Part Status | Obsolete |
| PPAP | No |
| Technology | Field Stop |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.55 |
Похожие товары
Цена по запросу
