Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]

MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11.5A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):0.36ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-5V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-78B; Avalanche Single Pulse Energy Eas:810mJ; Current Id Max:-11.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:a; Pin Format:1G,(2+Tab)D, 3S; Power Dissipation Ptot Max:120W; Pulse Current Idm:46A; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:-200V; Voltage Vgs Max:-30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	11.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.47 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	120
Корпус	to-220
Вес, г	2.5