Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FQP13N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.8A TO-220

FQP13N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений. • Низкий заряд затвора • Лавинное тестирование 100% • Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации • Улучшение потерь коммутации • Более низкие потери проводимости • Максимальная температура перехода 175°C Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 12.8 A Тип корпуса TO-220AB Максимальное рассеяние мощности 65 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.7 Высота 9.4мм Размеры 10.1 x 4.7 x 9.4мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 10.1мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 5 нс Производитель ON Semiconductor Типичное время задержки выключения 20 ns Серия QFET Минимальная рабочая температура -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage 2V Максимальное сопротивление сток-исток 180 мΩ Максимальное напряжение сток-исток 100 В Число контактов 3 Категория Мощный МОП-транзистор Типичный заряд затвора при Vgs 12 nC @ 10 V Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 345 пФ при 25 В Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В Вес, г 2.5 ON Semiconductor

Напряжение исток-сток макс.	100В
Ток стока макс.	12.8А
Тип транзистора	N-канальный
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220
Вес брутто	3.5 г.
Наименование	FQP13N10
Производитель	ON Semiconductor
Описание Eng	MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Нормоупаковка	50 шт