Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FQP2N60C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A TO-220
FQP2N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.7 ом при 1a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 54
Крутизна характеристики, S 5
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 2А |
| Тип транзистора | N-канальный |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.5 г. |
| Наименование | FQP2N60C |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
