Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FQP30N06L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.
• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Low crss (typical 50pF)
• ±20V Gate-source voltage
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 32
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.035 ом при 16a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79
Крутизна характеристики, S 24
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2.5
Вес, г 2.5
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 32A |
| Сопротивление открытого канала | 35 мОм |
| Мощность макс. | 79Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Заряд затвора | 20нКл |
| Входная емкость | 1040пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Наименование | FQP30N06L |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
