Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FQP33N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Lower conduction loss
• 175°C Maximum junction temperature rating
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 33 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 127 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.83мм
Высота 9.4мм
Размеры 10.67 x 4.83 x 9.4мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 80 нс
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 52 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 38 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1150 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В
Вес, г 2.5
Полезная информация
* Транзисторы и сборки MOSFET компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 33A |
| Сопротивление открытого канала | 52 мОм |
| Мощность макс. | 127Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 51нКл |
| Входная емкость | 1500пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Наименование | FQP33N10 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
