Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FQP50N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт
FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Это устройство хорошо подходит для низковольтных устройств вроде DC-DC преобразователей, высокоэффективного коммутационного оборудования для портативных и устройств с питанием от батареи. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Улучшенная характеристика dv/dt
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
• Максимальная температура перехода 175°C
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 ом при 25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 120
Крутизна характеристики, S 40
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2.5
Вес, г 2.5
Полезная информация
* Транзисторы и сборки MOSFET компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 50A |
| Сопротивление открытого канала | 22 мОм |
| Мощность макс. | 120Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 41нКл |
| Входная емкость | 1540пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.95 г. |
| Наименование | FQP50N06 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | Field-effect transistor, N-channel, 60V 50A 120W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
