Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FQPF10N60C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5А 50Вт
Корпус TO220FULLPAK3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.73 ом при 4.75a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 156
Крутизна характеристики, S 8
Корпус to220fp
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 9.5A |
| Сопротивление открытого канала | 730 мОм |
| Мощность макс. | 50Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 57нКл |
| Входная емкость | 2040пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220F |
| Вес брутто | 2.91 г. |
| Наименование | FQPF10N60C |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | Field-effect transistor, N-channel, 600V 9.5A 50W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
