Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FQPF3N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт
Цена по запросу

FQPF3N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт

The FQPF3N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts. • Low gate charge (13nC) • Low Crss (5.5pF) • 100% avalanche tested Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 3 A Тип корпуса TO-220F Максимальное рассеяние мощности 39 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.7 Высота 9.19мм Размеры 10.16 x 4.7 x 9.19мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 10.16мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 15 нс Производитель ON Semiconductor Типичное время задержки выключения 22,5 нс Серия QFET Минимальная рабочая температура -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage 3V Максимальное сопротивление сток-исток 4.8 Ω Максимальное напряжение сток-исток 800 В Число контактов 3 Категория Мощный МОП-транзистор Типичный заряд затвора при Vgs 13 нКл при 10 В Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 543 пФ при 25 В Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V Вес, г 2 ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. 800В
Ток стока макс. 3A
Сопротивление открытого канала 4.8 Ом
Мощность макс. 39Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 16.5нКл
Входная емкость 705пФ
Тип монтажа Through Hole
Корпус TO-220F
Вес брутто 2.9 г.
Наименование FQPF3N80C
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng N-MOS+D 800V, 1.8A, 39W
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных