Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![FS100R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 140 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
FS100R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 140 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6.
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 140 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 480 W |
| Number of Transistors | 6 |
| Вес, г | 348.8 |
Похожие товары
Цена по запросу
