Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1, IGBT Modules EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 & CoolSiC Schottky diode & PressFIT/NTC
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesThe Infineon makes this EasyPACK 3B 950 V, 200 A dual boost IGBT module with 1200 V CoolSiC diode, TRENCHSTOP IGBT7, NTC and PressFIT contact technology.
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.33В |
Collector Emitter Voltage Max | 950В |
Continuous Collector Current | 70А |
DC Ток Коллектора | 70А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three level Inverter |
Линейка Продукции | EasyPACK Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 950В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.33В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT7(Trench Stop) |
Maximum Collector Emitter Voltage | 950 V |
Maximum Continuous Collector Current | 70 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 6 |