Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FS50R12KT3BPSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled HE diode and NTC. Established Econo module concept

Collector Emitter Saturation Voltage	1.7В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	75А
DC Ток Коллектора	75А
Power Dissipation	280Вт
Выводы БТИЗ	Solder
Конфигурация БТИЗ	Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции	EconoPACK 2
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.7В
Рассеиваемая Мощность	280Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3(Trench/Field Stop)
Channel Type	N
Configuration	Common Emitter
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	280 W
Mounting Type	Panel Mount
Number of Transistors	6
Pin Count	28